stiusg

STI:STI光罩.8.STI:氮化矽、氧化矽及矽之蝕刻，光阻剝除.P型磊晶層.P型晶圓.N型...USG沈積/蝕刻/沈積/CMP.IMD1.24.銅導線.P-Epi.P-Wafer.N-Well.P-Welln+.,Amethodforshallowtrenchisolationformationhavingathickun-biasedHDPUSGlinerlayertoreduceHDP-CVDinduceddefectsisdescribed.,由蔡宗鳴著作·2004—USG.N-well.STI.USGn+n+p+p+.PSG.W.Tungsten.SOD.SOD.Cu11.Cu11.Cu11.Cu11.SOD.SOD.Copper2.SOD.SOD.Cu3.Cu3.SOD.Copper4...

參考資訊如下
Ch13 Process Integration

STI: STI光罩. 8. STI: 氮化矽、氧化矽及矽之蝕刻，光阻剝除. P型磊晶層. P型晶圓. N型 ... USG 沈積/蝕刻/沈積/CMP. IMD 1. 24. 銅導線. P-Epi. P-Wafer. N-Well. P-Well n+.

Method to reduce STI HDP

A method for shallow trench isolation formation having a thick un-biased HDP USG liner layer to reduce HDP-CVD induced defects is described.

Requirements for Low

由 蔡宗鳴 著作 · 2004 — USG. N-well. STI. USG n+ n+ p+ p+. PSG. W. Tungsten. SOD. SOD. Cu 11. Cu 11. Cu 11. Cu 11. SOD. SOD. Copper 2. SOD. SOD. Cu 3. Cu 3. SOD. Copper 4. SOD. SOD.

TWI505431B

淺溝槽隔離STI可藉由使用微影技術蝕刻基板000形成凹部而形成。一般而言，微影技術可 ... USG)、氟矽玻璃(fluorinated silicate glass，FSG)、高密度電漿(high-density ...

[問題] 請教一下版上前輩半導體製程的問題

2008年10月30日 — ... sti跟usg這兩個名詞usg(undoped silicate glass)用來作為相鄰電晶體的電性隔絕感覺usg填充只是sti的一個步驟但是看了CMOS剖面圖卻同時有出現usg跟sti.

化學氣相沉積與介電質薄膜

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半導體製程學習筆記

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探討化學氣相沉積在先進動態隨機存取記憶體淺溝槽絕緣的填洞 ...

由 吳兆騰 著作 · 2005 — ... (STI) gap filling capability of undoped silicate glass (USG) prepared by high aspect ratio process (HARP) in sub-atmosphere chemical vapor deposition (SACVD) ...

第十章介電質薄膜SiO , Si N

STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ILD:金屬層間介電質層. Page 2. 3. LPCVD 系統 ... CMP USG, W. CMP USG, W. CMP USG. W. CMP USG. CMOS IC. 16. 導電薄膜. • Poly-Si- ...